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「SiCパワエレ実用化フォーラム」のご案内(2005/4/15)

http://www.kyoto.jst-plaza.jp/topic/detail/050421/index.htm

SiC半導体デバイスの実用化を促進していく上での課題の抽出を行い、解決すべき手段を皆様と一緒に
考えてみたいという趣旨で開催します。是非ご参加ください。

【詳細】http://www.kyoto.jst-plaza.jp/topic/detail/050421/index.htm

■日時:4月21日(木) 講演会 13:30〜17:30
               交流会 17:30〜19:00

■場所:(独)科学技術振興機構(JST)研究成果活用プラザ京都 セミナールーム
        (http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.htm

■内容:詳しくはホームページをご覧ください。
  13:30〜  各種講演
  16:45〜  SiC関連企業からの技術紹介
  17:30〜  交流会

■参加費:無料 (交流会:1,000円)

■定員:70名(先着順)

■申込方法:下記より参加申込書(PDF形式)をダウンロードしていただき、
         E-mail(skawashima@kyoto.jst-plaza.jp)またはFAX(075-383-1301)にてお申し込みください。
    <PDF形式>
       http://www.kyoto.jst-plaza.jp/topic/detail/050421/form.pdf

■問合せ先:(独)科学技術振興機構 (略称JST) 研究成果活用プラザ京都 科学技術コーディネータ 河島 俊一郎
         TEL : 075-383-1300

■主催:科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都

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